Qualcomm анонсировала топовый чипсет Snapdragon 835 (MSM 8998)

Qualcomm анонсировала топовый чипсет Snapdragon 835 (MSM 8998)

Компания Qualcomm недавно анонсировала новый топовый мобильный процессор Snapdragon 835 (MSM 8998), предназначенный для самых продвинутых флагманских смартфонов 2017 года.

Соответствующая новость уже появилась на корпоративном сайте. Отмечается, что чипсет создавался в тесном сотрудничестве с компанией Samsung, по 10-нм техпроцессу FinFET которой он будет производится.

Конвейер по производству Snapdragon 835 уже запущен. Первые смартфоны на его базе выйдут в первой половине следующего года. Среди вероятных кандидатов — Samsung Galaxy S8 и S8 Edge.

Технические характеристики

Интегрированный CPU Snapdragon 835 включает в себя два вычислительных кластера, каждый из которых состоит из четырех высокопроизводительных кастомных ядер Kryo 200. Тактовая частота последних может достигать в перспективе 3 GHz.

Принцип работы аналогичен Exynos 8890 и прошлогоднему Snapdragon 810: обычно активирован только первый кластер (режим экономии энергии), когда требуется «ломовая» вычислительная мощь, подключается более «сообразительный» второй кластер.

Технические характеристики Qualcomm Snapdragon 835 (MSM 8998)
Технические характеристики Qualcomm Snapdragon 835 (MSM 8998) согласно китайской утечке

За комфортный запуск мобильных игр и других приложений, активно использующих 3D-графику, отвечает новый графический ускоритель Qualcomm Adreno 540. Встроенный модем X16 имеет поддержку сетей LTE Category 16 со скоростью обмена данными до 1 Гбит/с.

Контроллер памяти обеспечивает подключение четырех каналов LPDDR4 с частотой до 1866 MHz и общей емкостью до 16 Gb (!). В качестве внутреннего флеш-накопителя может быть использована как более медленная памяти eMMC 5.1, так и быстрая UFS 2.1.

Если сравнивать будущий Snapdragon 835 с текущими Snapdragon 820/821, то новинка в зависимости от выбранного режима работы может обеспечивали либо большую на 30% энергоэффективность при росте скорости вычислений на 27%, либо снижение расхода энергии на 40% при аналогичной производительности.

Такой результат обеспечивается благодаря технологическом процессу Samsung FinFET 10-нм.

Первые смартфоны на Snapdragon 835

По данным китайских инсайдеров, первым флагманом на базе 835-го чипсета Qualcomm станет Samsung Galaxy S8, презентация которого ожидается в конце февраля 2017 года в начале международной выставки MWC 2017.

Samsung Galaxy S8 будет базироваться на Qualcomm Snapdragon 835

Среди других вероятных кандидатов можно ожидать LG G6, Xiaomi Mi6, HTC 11, LeEco (LeTV) Le 3 Pro, Sony Xperia X2 Performance, ZUK Z3/Z3Pro, ZTE Axon 8. Ближе к лету должен появиться OnePlus 4, а также HP Elite X4 (на базе Windows).

Основной источник — официальный сайт Qualcomm (см тут).

1 балл2 балла3 балла4 балла5 баллов! (Пока оценок нет)
Загрузка...

НЕТ КОММЕНТАРИЕВ

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ